En combinación con el software de prueba Power-Device y los osciloscopios HDO, las sondas DL-ISO aportan mejoras en fidelidad de señal y precisión.
Teledyne anuncia el lanzamiento de su sonda de 1 GHz aislada ópticamente y de alta tensión DL-ISO y del software de prueba Power-Device que, en combinación con su High Definition Oscilloscopes (HDO), ofrecen una caracterización eléctrica más precisa de dispositivos semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC).
Durante más de tres décadas, los ingenieros han utilizado MOSFET e IGBT de silicio (Si) a la hora de producir fuentes de alimentación y sistemas de conversión de potencia. Sin embargo, los clientes demandan fuentes y sistemas más ligeros y la administración exige mayor eficiencia. Los materiales wide–bandgap (WBG), como GaN y SiC, conmutan diez veces más rápido que el silicio en los semiconductores y contribuyen a reducir el tamaño y el peso y aumentar la eficiencia.
Ahora, muchos ingenieros están implementando semiconductores WBG por primera vez y, por ende, demandan más ancho de banda de medida y más precisión, así como un análisis detallado.
Ventajas y beneficios de las sondas
La nueva sonda DL-ISO High Voltage Optically Isolated Probe dota a los profesionales de un diseño fiable en tareas de medida de dispositivos semiconductores de potencia GaN y SiC. Aporta mejoras en fidelidad de señal y precisión (1,5 por ciento).
Los HDO con resolución de 12 bits cumplen los requisitos de ancho de banda de 1 GHz para medir un dispositivo GaN con tiempos de subida de 1 ns y ofrecen una ratio de muestra de hasta 20 GS/s.
Además, el nuevo paquete de software Power-Device de Teledyne simplifica el análisis de dispositivos GaN y SiC con pérdida de conmutación JEDEC y otra medidas automatizadas y codificación por colores para resaltar las áreas relevantes.
Las sondas DL-ISO se presentan en anchos de banda de 350 MHz, 700 MHz y 1 GHz.
Finalmente, existe más información de las sondas en este enlace.
