Inicio Comprobadores PD1500A tablero de pruebas a medida para dispositivos GaN

PD1500A tablero de pruebas a medida para dispositivos GaN

6189
0

Keysight Technologies anuncia un tablero de pruebas a medida para dispositivos GaN basado en su analizador de dispositivos de potencia dinámica de doble pulso (PD1500A) y que ofrece caracterización de dispositivos fiable y repetible.

Gracias a este útil de medida los diseñadores de conversores de potencia, tanto en fabricantes originales de equipos (OEM) como en proveedores principales de piezas y recursos (Tier 1), pueden reducir los ciclos de prototipado y acelerar la introducción de nuevos productos al mercado.

Los conversores de potencia son un componente clave para la electrificación del transporte, la energía renovable y el mercado de la industria. Para la movilidad eléctrica (e-Mobility), la principal aplicación del conversor de potencia (por ejemplo, inversores de tracción) es la conversión eficiente de la potencia almacenada en la batería de alta tensión de los vehículos eléctricos (VE) para activar el motor AC.

Hay muchas otras aplicaciones para los conversores de potencia en los VE (véase la figura), incluyendo el cargador interno, que es el enlace clave para las aplicaciones entre el vehículo y la red de alimentación.

Para facilitar avances en el diseño de conversores de potencia, se están comercializando nuevas tecnologías basadas en semiconductores wide-bandgap (WBG), que proporcionan mejoras en velocidad, tensión, y operación térmica, lo que resulta en mejoras de eficiencia reduciendo el peso y el tamaño.

Sin embargo, estos conversores de potencia de altas prestaciones son difíciles de diseñar, lo que demora la innovación en los VE.

Solución con la plataforma de pruebas

Para ofrecer una caracterización fiable y consistente de semiconductores WBG, la firma ha desarrollado la plataforma PD1500A para análisis de dispositivos de potencia dinámica.

PD1500A tablero de pruebas a medida para dispositivos GaN

Esta plataforma modular permite la caracterización tanto de dispositivos de potencia basados en carburo de silicio (SiC) como dispositivos de silicio (Si). Y, ahora, con el tablero de pruebas a medida para GaN, los clientes disponen de la misma caracterización fiable y repetible para estos dispositivos que conmutan a mayor velocidad.

Actualmente, la tecnología GaN está centrada en los cargadores internos y en los conversores DC/DC en los VE.

Sin embargo, con la llegada de los dispositivos GaN verticales, las expectativas indican que las tensiones de funcionamiento alcanzarán valores similares a los de dispositivos SiC, de 1,2 kV y superiores, haciendo de la tecnología GaN un candidato potencial para aplicaciones de mayor potencia en e-Mobility.

Ingeniero de Electrónica y sistemas por la Universidad Pontificia Javeriana en Bogotá, Colombia. Nací en Medellín y viví allá hasta mi educación superior. Voluntario de la rama IEEE Javeriana donde soy vicepresidente. Me gustan los ordenadores, la robótica, la programación y temas afines.

Dejar una respuesta

Please enter your comment!
Please enter your name here

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.