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Analizador dinámico de potencia

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Con un diseño modular que le permite a este analizador dinámico de potencia trabajar con distintos dispositivos en distintas caracterizaciones, es también ampliable para ofrecer servicio a una mayor variedad de dispositivos en el futuro.

Keysight Technologies da a conocer el nuevo analizador de potencia PD1500A.

Este dispone de un testeador de doble pulso, lo cual le permite entregar mediciones fiables y repetibles de semiconductores WBG (wide-bandgap) mientras asegura la seguridad del hardware de medición y de los profesionales que llevan a cabo las pruebas.

El crecimiento en la demanda de vehículos eléctricos ha llevado a la industria automotriz a adoptar la tecnología de los semiconductores WBG para su uso en aplicaciones de misión crítica. Una de las necesidades de dicha tecnología es comprobar los riesgos de fiabilidad y repetibilidad en la caracterización de la nueva generación de semiconductores, incluyendo los IGBT (insulated-gate bipolar transistor), los SiC (silicon carbide), y los GaN (gallium nitride).

La caracterización completa de un dispositivo SiC o GaN requiere la realización de mediciones estáticas y dinámicas. Los analizadores B1505A y B1506A de Keysight entregan estas mediciones estáticas y, con la adición del nuevo PD1500A, son capaces de proporcionar también una amplia variedad de mediciones dinámicas, con lo que proporcionan a los técnicos una gran versatilidad.

Esta funcionalidad es clave, ya que los estándares para los dispositivos WBG, establecidos por el JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), continuan evolucionando.

Otras funcionalidades en el analizador dinámico de potencia

Analizador dinámico de potencia

El diseño de este analizador dinámico de potencia es modular, con lo que permite someter a prueba diversos tipos de dispositivos en distintas pruebas de caracterización a ser realizados a distintos niveles de potencia.

El sistema inicial proporciona una completa prueba de caracterización de doble pulso y extracción de parámetros para semiconductores de potencia Si y SiC con ratios de hasta 1,2 kV y 200 A.

Los módulos adicionales serán añadidos al PD1500A en el futuro para llevar a cabo pruebas en dispositivos que requieran de más corriente, como los GaN y los módulos de potencia.

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