Teledyne LeCroy ha anunciado la disponibilidad de los primeros generadores de alta definición de formas de onda arbitrarias (AWG).
Se trata de los modelos de doble canal T3AWG3252 (250 MHz) y T3AWG3352 (350 MHz) con resolución de tensión vertical de 16 bits, ventana de tensión de salida de hasta ±24 V y memoria de forma de onda de hasta 1 GS por canal.
Además de funcionar como AWG, esta pareja de instrumentos Teledyne Test Tools (T3) puede rendir como generadores de funciones arbitrarias o generadores de patrones digitales. Complementan así a los osciloscopios de 12 bits y alta resolución de la compañía para aplicaciones de test de estímulo – respuesta en automoción, pruebas de componentes / semiconductores, proyectos militares y aeroespaciales e I+D en laboratorios y centros educativos.
Los generadores de formas de onda con elevada precisión de señal son elementos fundamentales en el diseño de productos finales de alta calidad en menos tiempo. Debido a su resolución de tensión vertical de 16 bit, los nuevos AWG T3 producen las formas de onda más precisas de la industria con todo detalle y los usuarios se benefician de mejoras en eficiencia de test y confianza en los resultados.
Uso con osciloscopios de alta definición
En los escenarios de test de estímulo – respuesta, el AWG aplica un estímulo a la entrada del DUT, mientras que el osciloscopio analiza la respuesta en la salida del DUT. La combinación del AWG y del osciloscopio de alta resolución se traduce en señales claras y en tiempo real y en inmunidad al ruido y a la interferencia.
Son instrumentos multifuncionales de doble canal para aplicaciones de test de estímulo – respuesta en muy diversos sectores.
Especificaciones y capacidades de los nuevos generadores de alta definición
Los nuevos AWG ofrecen un rango de salida de ±12 Vpk-pk (salida de 50 Ω en entrada de 50 Ω) con la capacidad de cambiar el offset a ±6 V. Además, cuando dirigen formas de onda desde una salida de 50 Ω con elevada impedancia, la ventana de salida de tensión se amplía a ± 24 V o 48 V. Esto supone una ventaja considerable al generar pulsos gate-drive de MOSFET en automoción y test de semiconductores de potencia.
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